Vandaag kondigtSamsung Electronics Co., Ltd., aan dat het is begonnen met de massaproductie van de eerste 12-gigabit LPDDR mobile DRAM. Deze is geoptimaliseerd voor het gebruik van 5G en AI-features in toekomstige smartphones. Het nieuwe mobiele geheugen komt slechts vijf maanden na de aankondiging van de productie van de 12Gb LPDDR4X. Samsung is ook van plan om later deze maand te starten met het maken van 12GB LPDDR5-pakketten, waarbij acht van de 12Gb-chips gecombineerd worden. Hiermee wordt ingespeeld op de groeiende vraag van premium smartphone fabrikanten naar betere smartphone prestaties en meer vermogen.
“We zijn verheugd om de toekomstige 5G-vlaggenschip smartphones van onze klanten wereldwijd te ondersteunen met de massaproductie van de 12Gb LPDDR5, gebouwd op Samsung’s meest recente tweede generatie 10-nanometer (nm) klasse proces,” zegt Jung-bae Lee, Executive Vice President DRAM Product & Technology bij Samsung Electronics. “Samsung blijft toegewijd aan het snel introduceren van next-generation mobiele memory technologieën die hogere prestaties leveren. Zo blijven we de groei van de premium memory markt intensief stimuleren.”
Met de hoogste snelheid en het meeste efficiënte energieverbruik in de industrie maakt Samsung’s nieuwe chip het voor next-gen vlaggenschepen mogelijk om optimaal gebruik te maken van 5G en AI-mogelijkheden, zoals UHD-video recording en machine learning. Daarnaast wordt de batterijduur aanzienlijk verlengd.
De nieuwe mobile DRAM is met een datasnelheid van 5.500 Mb/s ongeveer 1.3 keer sneller dan de versie (LPDDR4X, 4266Mb/s) die in huidige high-end smartphones kan worden gevonden. De 12GB-pakketten kunnen 44GB aan data overbrengen – vergelijkbaar met 12 full-HD videobestanden van 3.7GB – in een seconde. De chip verbruikt bovendien 30 procent minder stroom dan zijn voorganger dankzij een nieuw circuit design met verbeterde clocking, training en low-power feature die zelfs op de hoogste snelheden stabiele prestaties garandeert.
Samsung overweegt om de productie van de 12Gb LPDDR5 volgend jaar te verplaatsen naar de Pyeongtaek campus (Korea), om meer flexibiliteit in de productiecapaciteit te waarborgen. Volgend op deze introductie verwacht Samsung volgend jaar ook een 16Gb LPDDR5 te ontwikkelen, om zo het concurrentievoordeel in de wereldwijde markt te behouden.
[Reference] Samsung Mobile DRAM Timeline: Production/Mass Prod.
| Datum | Capaciteit | Mobile DRAM |
| July 2019 | 12GB | 10nm-class 12Gb LPDDR5, 5500Mb/s |
| June 2019 | 6GB | 10nm-class 12Gb LPDDR5, 5500Mb/s |
| Feb. 2019 | 12GB | 10nm-class 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s |
| April 2018 | 8GB (development) | 10nm-class 8Gb LPDDR5, 6400Mb/s |
| Sept. 2016 | 8GB | 10nm-class 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s |
| Aug. 2015 | 6GB | 20nm 12Gb LPDDR4, 4266Mb/s |
| Dec. 2014 | 4GB | 20nm 8Gb LPDDR4, 3200Mb/s |
| Sept. 2014 | 3GB | 20nm 6Gb LPDDR3, 2133Mb/s |
| Nov. 2013 | 3GB | 20nm-class 6Gb LPDDR3, 2133Mb/s |
| July 2013 | 3GB | 20nm-class 4Gb LPDDR3, 2133Mb/s |
| April 2013 | 2GB | 20nm-class 4Gb LPDDR3, 2133Mb/s |
| Aug. 2012 | 2GB | 30nm-class 4Gb LPDDR3, 1600Mb/s |
| 2011 | 1/2GB | 30nm-class 4Gb LPDDR2, 1066Mb/s |
| 2010 | 512MB | 40nm-class 2Gb MDDR, 400Mb/s |
| 2009 | 256MB | 50nm-class 1Gb MDDR, 400Mb/s |